FF200R12KE3HOSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FF200R12KE3HOSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FF200R12KE3HOSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FF200R12KE3HOSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FF200R12KE3HOSA1
- Part Number:
- FF200R12KE3HOSA1
- Opis:
- IGBT MODULE VCES 1200V 200A
- Wielkość zbiorów:
- 25379 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FF200R12KE3HOSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.15V @ 15V, 200A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 1050W |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | FF200R12KE3 FF200R12KE3-ND SP000100735 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Termistor NTC: | Yes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 14nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| szczegółowy opis: | IGBT Module 2 Independent 1200V 1050W Chassis Mount Module |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 5mA |
| Konfiguracja: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FF200R12KE3HOSA1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny