FDSD0518-H-3R3M=P3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FDSD0518-H-3R3M=P3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FDSD0518-H-3R3M=P3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FDSD0518-H-3R3M=P3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FDSD0518-H-3R3M=P3
- Part Number:
- FDSD0518-H-3R3M=P3
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FIXED IND 3.3UH 3.4A 58 MOHM SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55594 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FDSD0518-H-3R3M=P3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.205" L x 0.193" W (5.20mm x 4.90mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | FDSD0518 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 490-10875-2 |
| temperatura robocza: | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Metal |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 3.3µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.071" (1.80mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 58 mOhm Max Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 58 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 3.4A |
| Obecny - Nasycenie: | 4.6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FDSD0518-H-3R3M=P3
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC