FBS10-12SC jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FBS10-12SC, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FBS10-12SC przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FBS10-12SC z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FBS10-12SC
- Part Number:
- FBS10-12SC
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 1200V ISOPLUS-5
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30125 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FBS10-12SC.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 1.2kV |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 2.1V @ 4A |
| Technologia: | Silicon Carbide Schottky |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Single Phase |
| szczegółowy opis: | Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 200µA @ 1200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 6.6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FBS10-12SC
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny