FAR-F6KA-2G0175-D4DR-Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FAR-F6KA-2G0175-D4DR-Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FAR-F6KA-2G0175-D4DR-Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FAR-F6KA-2G0175-D4DR-Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FAR-F6KA-2G0175-D4DR-Z
- Part Number:
- FAR-F6KA-2G0175-D4DR-Z
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FILTER SAW 2.018GHZ 5SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37827 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FAR-F6KA-2G0175-D4DR-Z.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.055" L x 0.039" W (1.40mm x 1.00mm) |
| Seria: | F6 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 5-SMD, No Lead |
| Inne nazwy: | 587-2856-2 FARF6KA2G0175D4DRZ PJ F6KA2G017D4DR-Z |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Insertion Loss: | 1.8dB |
| Wysokość (max): | 0.020" (0.50mm) |
| Częstotliwość - Centrum: | 2.018GHz |
| Pasmo: | 15MHz |
| Aplikacje: | Cellular, CDMA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FAR-F6KA-2G0175-D4DR-Z
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny