FA-118T 37.4000MF10P-K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla FA-118T 37.4000MF10P-K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla FA-118T 37.4000MF10P-K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup FA-118T 37.4000MF10P-K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
FA-118T 37.4000MF10P-K
- Part Number:
- FA-118T 37.4000MF10P-K
- Producent:
- Epson
- Opis:
- CRYSTAL SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32978 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.FA-118T 37.4000MF10P-K.pdf2.FA-118T 37.4000MF10P-K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | MHz Crystal |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.047" W (1.60mm x 1.20mm) |
| Seria: | FA-118T |
| oceny: | - |
| Package / Case: | 4-SMD, No Lead |
| Inne nazwy: | FA-118T 37.4000MF10P-K-ND FA-118T37.4000MF10P-K |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Tryb pracy: | Fundamental |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| pojemność obciążenia: | 10pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.014" (0.35mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±10ppm |
| Stabilność częstotliwości: | ±10ppm |
| Częstotliwość: | 37.4MHz |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 80 Ohms |
| szczegółowy opis: | 37.4MHz ±10ppm Crystal 10pF 80 Ohms 4-SMD, No Lead |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FA-118T 37.4000MF10P-K
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny