EZT-VKCTYP1HA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EZT-VKCTYP1HA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EZT-VKCTYP1HA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EZT-VKCTYP1HA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EZT-VKCTYP1HA
- Part Number:
- EZT-VKCTYP1HA
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CAP FILM 581UF 450VDC CHAS MT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39716 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.EZT-VKCTYP1HA.pdf2.EZT-VKCTYP1HA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 450V |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Tolerancja: | -5%, +10% |
| Zakończenie: | Quick Connect, Disconnect |
| Rozmiar / Wymiar: | 6.457" L x 4.528" W (164.00mm x 115.00mm) |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | EZTVKCTYP1HA P16791 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Główny odstęp: | 0.866" (22.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.693" (43.00mm) |
| cechy: | Low ESR |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 800 µOhms |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 581µF Film Capacitor 450V Polypropylene (PP), Metallized Nonstandard |
| Pojemność: | 581µF |
| Aplikacje: | DC Link, DC Filtering |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EZT-VKCTYP1HA
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny