ERT-J0ER103H jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ERT-J0ER103H, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ERT-J0ER103H przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ERT-J0ER103H z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ERT-J0ER103H
- Part Number:
- ERT-J0ER103H
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- THERMISTOR NTC 10KOHM 4250K 0402
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35535 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ERT-J0ER103H.pdf2.ERT-J0ER103H.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Seria: | ERT-J |
| Odporność na Ohm @ 25 ° C: | 10k |
| Tolerancja rezystancji: | ±3% |
| Moc - Max: | 66mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0402 (1005 Metric) |
| Inne nazwy: | ERTJ0ER103H P13702TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Długość - Drut Ołowiany: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | NTC Thermistor 10k 0402 (1005 Metric) |
| B25 / 85: | 4300K |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | 4250K |
| B25 / 100: | - |
| B0 / 50: | - |
| B Wartość Tolerancja: | ±2% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ERT-J0ER103H
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe