ERJ-MP3PF8M0U jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ERJ-MP3PF8M0U, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ERJ-MP3PF8M0U przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ERJ-MP3PF8M0U z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ERJ-MP3PF8M0U
- Part Number:
- ERJ-MP3PF8M0U
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- RES 0.008 OHM 1% 2W 2010
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51933 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ERJ-MP3PF8M0U.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±75ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 2010 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
| Seria: | ERJ |
| Tryb panel: | 8 mOhms |
| Moc (W): | 2W |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 2010 (5025 Metric) |
| Inne nazwy: | P19386DKR |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 170°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.035" (0.89mm) |
| cechy: | Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 8 mOhms ±1% 2W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant Metal Element |
| Kompozycja: | Metal Element |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ERJ-MP3PF8M0U
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC