EP2A25B724C7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EP2A25B724C7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EP2A25B724C7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EP2A25B724C7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EP2A25B724C7
- Part Number:
- EP2A25B724C7
- Opis:
- IC FPGA 540 I/O 724BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50562 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.EP2A25B724C7.pdf2.EP2A25B724C7.pdf3.EP2A25B724C7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 622592 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 724-BGA (35x35) |
| Seria: | APEX II |
| Package / Case: | 724-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 24320 |
| Ilość Labs / CLBs: | 2430 |
| Liczba I / O: | 540 |
| Ilość Gates: | 2750000 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Podstawowy numer części: | EP2A25 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EP2A25B724C7
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny