EP1AGX90EF1152I6N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EP1AGX90EF1152I6N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EP1AGX90EF1152I6N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EP1AGX90EF1152I6N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EP1AGX90EF1152I6N
- Part Number:
- EP1AGX90EF1152I6N
- Producent:
- Intel® FPGAs
- Opis:
- IC FPGA 538 I/O 1152FBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57670 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.15 V ~ 1.25 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 4477824 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1152-FBGA (35x35) |
| Seria: | Arria GX |
| Package / Case: | 1152-BBGA, FCBGA |
| Inne nazwy: | 544-2387 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 90220 |
| Ilość Labs / CLBs: | 4511 |
| Liczba I / O: | 538 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Podstawowy numer części: | EP1AGX90 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EP1AGX90EF1152I6N
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny