ELJ-NJ5N6EF2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ELJ-NJ5N6EF2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ELJ-NJ5N6EF2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ELJ-NJ5N6EF2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ELJ-NJ5N6EF2
- Part Number:
- ELJ-NJ5N6EF2
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- FIXED IND 5.6NH 750MA 80 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 24300 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ELJ-NJ5N6EF2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±0.5nH |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0603 (1608 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | NJ |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 35 @ 250MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric) |
| Inne nazwy: | ELJNJ5N6EF2 PCD1816TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Non-Magnetic |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 250MHz |
| Indukcyjność: | 5.6nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.032" (0.80mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 6GHz |
| szczegółowy opis: | 5.6nH Unshielded Wirewound Inductor 750mA 80 mOhm Max 0603 (1608 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 80 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 750mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ELJ-NJ5N6EF2
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash