EL5111IWTZ-T7A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EL5111IWTZ-T7A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EL5111IWTZ-T7A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EL5111IWTZ-T7A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EL5111IWTZ-T7A
- Part Number:
- EL5111IWTZ-T7A
- Producent:
- Intersil
- Opis:
- IC OPAMP VFB 32MHZ RRO TSOT23-5
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53572 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EL5111IWTZ-T7A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 4.5 V ~ 16.5 V, ±2.25 V ~ 8.25 V |
| Napięcie - Wejście offset: | 3mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TSOT-23-5 |
| Szybkość narastania: | 75 V/µs |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Typ wyjścia: | Rail-to-Rail |
| Inne nazwy: | EL5111IWTZ-T7ACT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zysk Bandwidth Product: | 32MHz |
| szczegółowy opis: | Voltage Feedback Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail TSOT-23-5 |
| Obecny - Dostawa: | 2.5mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 65mA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 2nA |
| Podstawowy numer części: | EL5111 |
| Amplifier Type: | Voltage Feedback |
| 3dB Pasmo: | 60MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EL5111IWTZ-T7A
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC