EKMZ421VSN271MR25S jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EKMZ421VSN271MR25S, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EKMZ421VSN271MR25S przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EKMZ421VSN271MR25S z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EKMZ421VSN271MR25S
- Part Number:
- EKMZ421VSN271MR25S
- Producent:
- Nippon Chemi-Con
- Opis:
- CAP ALUM 270UF 20% 420V SNAP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41216 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EKMZ421VSN271MR25S.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 420V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.181" Dia (30.00mm) |
| Seria: | KMZ |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 1.28A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 1.8304A @ 50kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can - Snap-In |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | 0.394" (10.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.083" (27.50mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | - |
| szczegółowy opis: | 270µF 420V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 270µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EKMZ421VSN271MR25S
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe