EGP10B-M3/73 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EGP10B-M3/73, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EGP10B-M3/73 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EGP10B-M3/73 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EGP10B-M3/73
- Part Number:
- EGP10B-M3/73
- Producent:
- Opis:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51790 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EGP10B-M3/73.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1A |
| Napięcie - Podział: | DO-204AL (DO-41) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Stan RoHS: | Tape & Box (TB) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 22pF @ 4V, 1MHz |
| Polaryzacja: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Temperatura pracy - złącze: | 50ns |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | EGP10B-M3/73 |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 100V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| Diode Configuration: | 5µA @ 100V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 950mV @ 1A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100V |
| Pojemność @ VR F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EGP10B-M3/73
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego