EFO-MN5004A4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EFO-MN5004A4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EFO-MN5004A4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EFO-MN5004A4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EFO-MN5004A4
- Part Number:
- EFO-MN5004A4
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CER RES 5.0000MHZ T/H
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 32317 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EFO-MN5004A4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Ceramic |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.335" L x 0.158" W (8.50mm x 4.00mm) |
| Seria: | EFO-MN |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Box - 2 Lead, 5.00mm Pitch |
| Inne nazwy: | EFOMN5004A4 PX500MN |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 80°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość: | 0.197" (5.00mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±0.5% |
| Stabilność częstotliwości: | ±0.3% |
| Częstotliwość: | 5MHz |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 5MHz Ceramic Resonator ±0.3% -20°C ~ 80°C Through Hole |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EFO-MN5004A4
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC