EFO-H418MS03 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EFO-H418MS03, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EFO-H418MS03 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EFO-H418MS03 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EFO-H418MS03
- Part Number:
- EFO-H418MS03
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- SAW RES 418.0000MHZ T/H
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 58876 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EFO-H418MS03.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | SAW |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.358" Dia (9.10mm) |
| Seria: | EFO-H |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Metal Can - 3 Lead |
| Inne nazwy: | EFOH418MS03 PX418S2 |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 80°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość: | 0.138" (3.50mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | - |
| Stabilność częstotliwości: | -150ppm, +50ppm |
| Częstotliwość: | 418MHz |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 418MHz SAW Resonator -150ppm, +50ppm -20°C ~ 80°C Through Hole |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EFO-H418MS03
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny