EFM32ZG210F4-QFN32T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EFM32ZG210F4-QFN32T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EFM32ZG210F4-QFN32T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EFM32ZG210F4-QFN32T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EFM32ZG210F4-QFN32T
- Part Number:
- EFM32ZG210F4-QFN32T
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- IC MCU 32BIT 4KB FLASH 32QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34891 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | FLASH |
| Napięcie - Podział: | 32-QFN (6x6) |
| Seria: | Zero Gecko |
| Stan RoHS: | Tray |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 24MHz |
| wymaga: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| Typ pamięci programu: | 4KB (4K x 8) |
| Rozmiar pamięci programu: | EBI/EMI, I²C, IrDA, SmartCard, SPI, UART/USART |
| Polaryzacja: | 32-VQFN Exposed Pad |
| Typ oscylatora: | A/D 4x12b, D/A 1x12b |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| System operacyjny: | ARM® Cortex®-M0+ |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | EFM32ZG210F4-QFN32T |
| Rozszerzony opis: | ARM® Cortex®-M0+ Zero Gecko Microcontroller IC 32-Bit 24MHz 4KB (4K x 8) FLASH 32-QFN (6x6) |
| Opis: | IC MCU 32BIT 4KB FLASH 32QFN |
| Bajty danych SRAM: | - |
| Konwertery danych: | 1.85 V ~ 3.8 V |
| rdzeń Rozmiar: | 2K x 8 |
| Seria regulatorów: | Internal |
| Łączność: | 32-Bit |
| Częstotliwość zegara: | 24 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EFM32ZG210F4-QFN32T
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025