ECW-UC2J333JV jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ECW-UC2J333JV, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ECW-UC2J333JV przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ECW-UC2J333JV z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ECW-UC2J333JV
- Part Number:
- ECW-UC2J333JV
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CAP FILM 0.033UF 5% 630VDC 2825
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56321 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ECW-UC2J333JV.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 630V |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Tolerancja: | ±5% |
| Zakończenie: | Solder Pads |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.280" L x 0.248" W (7.10mm x 6.30mm) |
| Seria: | ECW-U(C) |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 2825 (7163 Metric) |
| Inne nazwy: | PCF1583CT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.201" (5.10mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked |
| szczegółowy opis: | 0.033µF Film Capacitor 630V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2825 (7163 Metric) |
| Pojemność: | 0.033µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ECW-UC2J333JV
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny