ECQ-V1H184JL3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ECQ-V1H184JL3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ECQ-V1H184JL3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ECQ-V1H184JL3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ECQ-V1H184JL3
- Part Number:
- ECQ-V1H184JL3
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CAP FILM 0.18UF 5% 50VDC RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46937 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ECQ-V1H184JL3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 50V |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Tolerancja: | ±5% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.287" L x 0.177" W (7.30mm x 4.50mm) |
| Seria: | ECQ-V |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | ECQ-V1H184JZ3 ECQV1H184JL3 ECQV1H184JZ3 P4528TB |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.256" (6.50mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polyester, Metallized - Stacked |
| szczegółowy opis: | 0.18µF Film Capacitor 50V Polyester, Metallized - Stacked Radial |
| Pojemność: | 0.18µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ECQ-V1H184JL3
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe