ECQ-E12104KE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ECQ-E12104KE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ECQ-E12104KE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ECQ-E12104KE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ECQ-E12104KE
- Part Number:
- ECQ-E12104KE
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- CAP FILM 0.1UF 10% 1.25KVDC RAD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25282 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ECQ-E12104KE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 1250V (1.25kV) |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Tolerancja: | ±10% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.220" L x 0.394" W (31.00mm x 10.00mm) |
| Seria: | ECQ-E(F) |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | ECQE12104KE |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Główny odstęp: | 1.083" (27.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polyester, Metallized |
| szczegółowy opis: | 0.1µF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polyester, Metallized Radial |
| Pojemność: | 0.1µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ECQ-E12104KE
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC