E3H2-T4B4M-M1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla E3H2-T4B4M-M1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla E3H2-T4B4M-M1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup E3H2-T4B4M-M1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
E3H2-T4B4M-M1
- Part Number:
- E3H2-T4B4M-M1
- Producent:
- Omron Automation & Safety
- Opis:
- M12 THRUB PNP 4M CONN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowe zwolnienie / Zgodność z RoHS przez zwolnienie
- Wielkość zbiorów:
- 43436 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- E3H2-T4B4M-M1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 10 V ~ 30 V |
| Seria: | E3H2 |
| Metoda pomiaru: | Through-Beam |
| Zasięg: | 157.480" (4m) |
| Czas odpowiedzi: | 2.5ms |
| Konfiguracja wyjściowa: | NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable |
| Inne nazwy: | E3H2T4B4MM1 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 55°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Źródło światła: | Infrared (880nm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| Stopień ochrony: | IP67 |
| Metoda połączenia: | Connector |
| Typ regulacji: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do E3H2-T4B4M-M1
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC