DZ2S27000L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DZ2S27000L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DZ2S27000L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DZ2S27000L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DZ2S27000L
- Part Number:
- DZ2S27000L
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- DIODE ZENER 27V 150MW SSMINI2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52107 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DZ2S27000L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | 120 Ohm |
| Napięcie - Podział: | SSMini2-F5-B |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Moc - Max: | 150mW |
| Polaryzacja: | SC-79, SOD-523 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | DZ2S27000L |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 27V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 150mW ±5% Surface Mount SSMini2-F5-B |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Diode Configuration: | 50nA @ 21V |
| Opis: | DIODE ZENER 27V 150MW SSMINI2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1V @ 10mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DZ2S27000L
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC