DSPIC33EV128GM004T-E/MLVAO jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DSPIC33EV128GM004T-E/MLVAO, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DSPIC33EV128GM004T-E/MLVAO przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DSPIC33EV128GM004T-E/MLVAO z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DSPIC33EV128GM004T-E/MLVAO
- Part Number:
- DSPIC33EV128GM004T-E/MLVAO
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 16BIT 128KB FLASH 44QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41344 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 44-QFN (8x8) |
| Prędkość: | 60 MIPs |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100, dsPIC™ 33EV |
| Wielkość pamięci RAM: | 8K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 128KB (43K x 24) |
| Peryferia: | Brown-out Detect/Reset, DMA, Motor Control PWM, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 44-VQFN Exposed Pad |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba I / O: | 35 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | dsPIC Automotive, AEC-Q100, dsPIC™ 33EV Microcontroller IC 16-Bit 60 MIPs 128KB (43K x 24) FLASH 44-QFN (8x8) |
| Konwertery danych: | A/D 24x10/12b |
| rdzeń Rozmiar: | 16-Bit |
| Core Processor: | dsPIC |
| Łączność: | I²C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DSPIC33EV128GM004T-E/MLVAO
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash