DS31400GN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DS31400GN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DS31400GN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DS31400GN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DS31400GN
- Part Number:
- DS31400GN
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- IC TIMING DUAL DPLL 256CSBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 20114 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DS31400GN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.8V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-CSPBGA (17x17) |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 8:14 |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 256-LBGA, CSBGA |
| PLL: | Yes |
| Wydajność: | CML, CMOS, LVDS, LVPECL, TTL |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Główny cel: | Ethernet, SONET/SDH, Stratum, Telecom |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wkład: | CMOS, TTL |
| Częstotliwość - Max: | 750MHz |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | Yes/Yes |
| Podstawowy numer części: | DS31400 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DS31400GN
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC