DS26528GNA5+ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DS26528GNA5+, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DS26528GNA5+ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DS26528GNA5+ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DS26528GNA5+
- Part Number:
- DS26528GNA5+
- Producent:
- Maxim Integrated
- Opis:
- IC TXRX T1/E1/J1 OCT 256-CSBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46177 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DS26528GNA5+.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Rodzaj: | Transceiver |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-CSBGA (17x17) |
| Seria: | - |
| Protokół: | IEEE 1149.1 |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 256-LBGA, CSBGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kierowców / odbiorników: | 4/4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dupleks: | Full |
| szczegółowy opis: | 4/4 Transceiver Full IEEE 1149.1 256-CSBGA (17x17) |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Podstawowy numer części: | DS26528 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DS26528GNA5+
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny