DS2502/T&R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DS2502/T&R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DS2502/T&R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DS2502/T&R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DS2502/T&R
- Part Number:
- DS2502/T&R
- Producent:
- Maxim Integrated
- Opis:
- IC EPROM 1K 1WIRE TO92-3
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 36223 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DS2502/T&R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | - |
| Technologia: | EPROM - OTP |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92-3 |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 1Kb (1K x 1) |
| Interfejs pamięci: | 1-Wire® |
| Format pamięci: | EPROM |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | EPROM - OTP Memory IC 1Kb (1K x 1) 1-Wire® 15µs TO-92-3 |
| Podstawowy numer części: | DS2502 |
| Czas dostępu: | 15µs |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DS2502/T&R
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny