DS1135U-6 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DS1135U-6, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DS1135U-6 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DS1135U-6 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DS1135U-6
- Part Number:
- DS1135U-6
- Producent:
- Maxim Integrated
- Opis:
- IC DELAY LINE 6NS 8UMAX
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 37008 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DS1135U-6.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-uMAX |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba niezależnych Opóźnienia: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Funkcjonować: | Multiple, NonProgrammable |
| szczegółowy opis: | Delay Line IC Multiple, NonProgrammable 6ns 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Opóźnienie 1st Tap: | 6ns |
| Podstawowy numer części: | DS1135 |
| Dostępne Wszystkich Opóźnienia: | 6ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DS1135U-6
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC