DRV8812RHDR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DRV8812RHDR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DRV8812RHDR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DRV8812RHDR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DRV8812RHDR
- Part Number:
- DRV8812RHDR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC MOTOR DRIVER PAR 28VQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40480 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DRV8812RHDR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 8.2 V ~ 45 V |
| Napięcie - Obciążenie: | 8.2 V ~ 45 V |
| Technologia: | Power MOSFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-VQFN (5x5) |
| Krok Rozdzielczość: | - |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 28-VFQFN Exposed Pad |
| Konfiguracja wyjściowa: | Half Bridge (4) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Typ silnika - stepper: | Bipolar |
| Typ silnika - AC, DC: | Brushed DC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | Parallel |
| Funkcjonować: | Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage |
| szczegółowy opis: | Bipolar Motor Driver Power MOSFET Parallel 28-VQFN (5x5) |
| Obecny - Wyjście: | 1.6A |
| Podstawowy numer części: | DRV8812 |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DRV8812RHDR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash