DRV5013BCQLPG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DRV5013BCQLPG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DRV5013BCQLPG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DRV5013BCQLPG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DRV5013BCQLPG
- Part Number:
- DRV5013BCQLPG
- Producent:
- TI
- Opis:
- MAGNETIC SWITCH LATCH TO92-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53861 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DRV5013BCQLPG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 38 V |
| Stan testu: | -40°C ~ 125°C |
| Technologia: | Hall Effect |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-92-3 |
| Seria: | - |
| Zakres pomiarowy: | 18mT Trip, -18mT Release |
| Polaryzacja: | South Pole |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Typ wyjścia: | Open Drain |
| Inne nazwy: | 296-38518 296-38518-1 296-38518-1-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Latch |
| cechy: | Temperature Compensated |
| szczegółowy opis: | Digital Switch Latch Open Drain Hall Effect TO-92-3 |
| Obecny - Dostawa (Max): | 2.7mA (Typ) |
| Obecny - Wyjście (Max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DRV5013BCQLPG
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash