DN2625DK6-G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DN2625DK6-G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DN2625DK6-G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DN2625DK6-G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DN2625DK6-G
- Part Number:
- DN2625DK6-G
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33414 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DN2625DK6-G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DFN (5x5) |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 3.5 Ohm @ 1A, 0V |
| Moc - Max: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 8-VDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1000pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 7.04nC @ 1.5V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Depletion Mode |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 250V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 250V 1.1A Surface Mount 8-DFN (5x5) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DN2625DK6-G
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny