DHS4E4G701MLXB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DHS4E4G701MLXB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DHS4E4G701MLXB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DHS4E4G701MLXB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DHS4E4G701MLXB
- Part Number:
- DHS4E4G701MLXB
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP CER 700PF 40KV N4700 DISK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36613 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.DHS4E4G701MLXB.pdf2.DHS4E4G701MLXB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 40000V (40kV) |
| Tolerancja: | ±20% |
| Grubość (maks): | - |
| Współczynnik temperaturowy: | N4700 |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.496" Dia x 1.476" L (38.00mm x 37.50mm) |
| Seria: | DHS |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Disk, Metal Fitting - Threaded |
| temperatura robocza: | 20°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Requires Holder |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | High Voltage |
| szczegółowy opis: | 700pF ±20% 40000V (40kV) Ceramic Capacitor N4700 Disk, Metal Fitting - Threaded |
| Pojemność: | 700pF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DHS4E4G701MLXB
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash