DG469EQ-T1-E3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DG469EQ-T1-E3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DG469EQ-T1-E3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DG469EQ-T1-E3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DG469EQ-T1-E3
- Part Number:
- DG469EQ-T1-E3
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- IC SWITCH SNGL SPDT 8MSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53239 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DG469EQ-T1-E3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 12V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | ±4.5 V ~ 15 V |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | 166ns, 108ns |
| Przełącznik: | SPDT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-MSOP |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad |
| Inne nazwy: | DG469EQ-T1-E3TR DG469EQT1E3 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 6 Ohm |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 2:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 1 Circuit IC Switch 2:1 6 Ohm 8-MSOP |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | 500pA |
| Przesłuchy: | -63dB @ 1MHz |
| Wtrysk ładowania: | 58pC |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | 120 mOhm |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | 37pF, 85pF |
| Podstawowy numer części: | DG469 |
| 3dB Pasmo: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DG469EQ-T1-E3
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC