DG2535EDN-T1-GE4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DG2535EDN-T1-GE4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DG2535EDN-T1-GE4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DG2535EDN-T1-GE4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DG2535EDN-T1-GE4
- Part Number:
- DG2535EDN-T1-GE4
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- IC ANALOG SWITCH DUAL 10QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30496 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DG2535EDN-T1-GE4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | 78ns, 58ns |
| Przełącznik: | SPDT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-DFN (3x3) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-VFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | DG2535EDN-T1-GE4-ND DG2535EDN-T1-GE4TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 500 mOhm |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 2:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 2 Circuit IC Switch 2:1 500 mOhm 10-DFN (3x3) |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | - |
| Przesłuchy: | -90dB @ 100kHz |
| Wtrysk ładowania: | - |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | 60 mOhm |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | - |
| 3dB Pasmo: | 120MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DG2535EDN-T1-GE4
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC