DFNA1001DT1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DFNA1001DT1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DFNA1001DT1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DFNA1001DT1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DFNA1001DT1
- Part Number:
- DFNA1001DT1
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- RES ARRAY 4 RES 1K OHM 8VDFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25777 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DFNA1001DT1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±25ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
| Seria: | DFN |
| Resistor-Ratio-Drift: | ±3 ppm/°C |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | ±0.025% |
| Oporność (Ohm): | 1k |
| Moc na element: | 50mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-VDFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 4 |
| Ilość Pins: | 8 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.035" (0.90mm) |
| szczegółowy opis: | 1k Ohm ±0.5% 50mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±25ppm/°C 8-VDFN Exposed Pad |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DFNA1001DT1
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC