DEHR32E103KN2A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DEHR32E103KN2A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DEHR32E103KN2A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DEHR32E103KN2A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DEHR32E103KN2A
- Part Number:
- DEHR32E103KN2A
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP CER 10000PF 250V RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26870 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.DEHR32E103KN2A.pdf2.DEHR32E103KN2A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 250V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Grubość (maks): | - |
| Współczynnik temperaturowy: | R |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.472" Dia (12.00mm) |
| Seria: | DEH |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | Radial, Disc |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | Straight |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.591" (15.00mm) |
| cechy: | High Voltage, Low Dissipation Factor |
| szczegółowy opis: | 10000pF ±10% 250V Ceramic Capacitor R Radial, Disc |
| Pojemność: | 10000pF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DEHR32E103KN2A
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC