CZ5369B BK jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CZ5369B BK, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CZ5369B BK przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CZ5369B BK z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CZ5369B BK
- Part Number:
- CZ5369B BK
- Producent:
- Central Semiconductor
- Opis:
- DIODE ZENER 51V 5W DO201
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 43408 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CZ5369B BK.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 51V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.2V @ 1A |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-201 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 5W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Inne nazwy: | CZ5369B BK-ND CZ5369BBK |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 27 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 51V 5W ±5% Through Hole DO-201 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500nA @ 38.8V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CZ5369B BK
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC