CY7C4235V-15ASXC jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CY7C4235V-15ASXC, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CY7C4235V-15ASXC przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CY7C4235V-15ASXC z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CY7C4235V-15ASXC
- Part Number:
- CY7C4235V-15ASXC
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC SYNC FIFO MEM 2KX18 64LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49309 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CY7C4235V-15ASXC.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3V ~ 3.6V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 64-TQFP (14x14) |
| Seria: | CY7C |
| retransmisji Capability: | Yes |
| Programowalne Flagi Pomoc: | Yes |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 64-LQFP |
| Inne nazwy: | 428-1715 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Rozmiar pamięci: | 36K (2K x 18) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Synchronous |
| Pomoc FWFT: | No |
| Rodzaj Expansion: | Depth, Width |
| Szybkość przesyłania danych: | 66.7MHz |
| Obecny - Dostawa (Max): | 30mA |
| Autobus Directional: | Uni-Directional |
| Podstawowy numer części: | 7C4235 |
| Czas dostępu: | 11ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CY7C4235V-15ASXC
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash