CY74FCT191CTSOCE4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CY74FCT191CTSOCE4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CY74FCT191CTSOCE4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CY74FCT191CTSOCE4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CY74FCT191CTSOCE4
- Part Number:
- CY74FCT191CTSOCE4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC SYNC 4BIT UP/DN CNTR 16SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45190 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CY74FCT191CTSOCE4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75V ~ 5.25V |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| wyczucie czasu: | Synchronous |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SOIC |
| Seria: | 74FCT |
| Nastawić: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Logic Type: | Binary Counter |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kierunek: | Up, Down |
| szczegółowy opis: | Counter IC Binary Counter 1 Element 4 Bit Positive Edge 16-SOIC |
| Podstawowy numer części: | 74FCT191 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CY74FCT191CTSOCE4
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash