CWR09HC106KB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CWR09HC106KB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CWR09HC106KB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CWR09HC106KB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CWR09HC106KB
- Part Number:
- CWR09HC106KB
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP TANT 10UF 10% 15V 2214
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 58543 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CWR09HC106KB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 15V |
| Rodzaj: | Molded |
| Tolerancja: | ±10% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.220" L x 0.135" W (5.59mm x 3.43mm) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-55365/4, CWR09 |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 2214 (5634 Metric) |
| Inne nazwy: | 1010-1044 1010-1044-MIL TAZF106K015CBMB0800 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Producent Kod rozmiaru: | F |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.085" (2.16mm) |
| cechy: | Military |
| Współczynnik awaryjności: | B (0.1%) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 2.5 Ohm |
| szczegółowy opis: | 10µF Molded Tantalum Capacitors 15V 2214 (5634 Metric) 2.5 Ohm |
| Pojemność: | 10µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CWR09HC106KB
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe