CTR10000FFKGANHWT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CTR10000FFKGANHWT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CTR10000FFKGANHWT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CTR10000FFKGANHWT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CTR10000FFKGANHWT
- Part Number:
- CTR10000FFKGANHWT
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- RES NETWORK 2 RES 1K OHM 0303
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36545 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CTR10000FFKGANHWT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0303 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.030" L x 0.030" W (0.76mm x 0.76mm) |
| Seria: | CTR |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 1k |
| Moc na element: | 250mW |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 0303 (0808 Metric) |
| Inne nazwy: | CTR-1.0KFK |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Liczba rezystorów: | 2 |
| Ilość Pins: | 6 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.012" (0.30mm) |
| szczegółowy opis: | 1k Ohm ±1% 250mW Power Per Element Voltage Divider 2 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 0303 (0808 Metric) |
| Rodzaj obwodu: | Voltage Divider |
| Aplikacje: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CTR10000FFKGANHWT
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny