CSC08A0110K0GPA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CSC08A0110K0GPA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CSC08A0110K0GPA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CSC08A0110K0GPA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CSC08A0110K0GPA
- Part Number:
- CSC08A0110K0GPA
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES ARRAY 7 RES 10K OHM 8SIP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 36980 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CSC08A0110K0GPA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±2% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SIP |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.790" L x 0.098" W (20.07mm x 2.49mm) |
| Seria: | CSC |
| Resistor-Ratio-Drift: | ±50 ppm/°C |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 10k |
| Moc na element: | 200mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 8-SIP |
| Inne nazwy: | CSC08A0110K0GPA-ND CSC10KP |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 7 |
| Ilość Pins: | 8 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 35 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.195" (4.95mm) |
| szczegółowy opis: | 10k Ohm ±2% 200mW Power Per Element Bussed 7 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 8-SIP |
| Rodzaj obwodu: | Bussed |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CSC08A0110K0GPA
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny