CRS03(TE85L,Q,M) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CRS03(TE85L,Q,M), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CRS03(TE85L,Q,M) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CRS03(TE85L,Q,M) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CRS03(TE85L,Q,M)
- Part Number:
- CRS03(TE85L,Q,M)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32025 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CRS03(TE85L,Q,M).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 450mV @ 1A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 30V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOD-123F |
| Inne nazwy: | CRS03 (TE85L,Q,M) CRS03(TE85L,Q) CRS03QTR CRS03TE85LQM |
| Temperatura pracy - złącze: | -40°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 30V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1A |
| Pojemność @ VR F: | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | CRS03 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CRS03(TE85L,Q,M)
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC