CRCW12109R31FNTA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CRCW12109R31FNTA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CRCW12109R31FNTA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CRCW12109R31FNTA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CRCW12109R31FNTA
- Part Number:
- CRCW12109R31FNTA
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES SMD 9.31 OHM 1% 1/2W 1210
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 27786 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CRCW12109R31FNTA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.5W, 1/2W |
| Napięcie - Podział: | 1210 |
| Grubość (maks): | ±200ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Seria: | CRCW |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 1210 (3225 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | CRCW12109R31FNTA |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.028" (0.70mm) |
| cechy: | Automotive AEC-Q200 |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 9.31 Ohm ±1% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 1210 (3225 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Opis: | RES SMD 9.31 OHM 1% 1/2W 1210 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Thick Film |
| Pasmo: | 9.31 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CRCW12109R31FNTA
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC