CRCW040218K7FKTD jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CRCW040218K7FKTD, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CRCW040218K7FKTD przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CRCW040218K7FKTD z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CRCW040218K7FKTD
- Part Number:
- CRCW040218K7FKTD
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES SMD 18.7K OHM 1% 1/16W 0402
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 54265 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CRCW040218K7FKTD.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.063W, 1/16W |
| Napięcie - Podział: | 0402 |
| Grubość (maks): | ±100ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Seria: | CRCW |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 0402 (1005 Metric) |
| Inne nazwy: | CRCW0402 100 18K7 1% RT7 CRCW04021872FRT7 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | CRCW040218K7FKTD |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.016" (0.40mm) |
| cechy: | Automotive AEC-Q200 |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 18.7k Ohm ±1% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Opis: | RES SMD 18.7K OHM 1% 1/16W 0402 |
| Okładziny, Typ obudowy: | Thick Film |
| Pasmo: | 18.7k |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CRCW040218K7FKTD
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny