CPWN03174R0FB143 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CPWN03174R0FB143, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CPWN03174R0FB143 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CPWN03174R0FB143 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CPWN03174R0FB143
- Part Number:
- CPWN03174R0FB143
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES 174 OHM 3W 1% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 59766 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CPWN03174R0FB143.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±30ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.875" L x 0.313" W (22.22mm x 7.94mm) |
| Seria: | CPWN |
| Tryb panel: | 174 Ohms |
| Moc (W): | 3W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Axial |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 275°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 174 Ohms ±1% 3W Through Hole Resistor Axial Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety Wirewound |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CPWN03174R0FB143
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash