CM4545Z131B-10 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CM4545Z131B-10, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CM4545Z131B-10 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CM4545Z131B-10 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CM4545Z131B-10
- Part Number:
- CM4545Z131B-10
- Producent:
- Laird Technologies
- Opis:
- CMC 10A 4LN 130 OHM TH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34876 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | - |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.448" L x 0.448" W (11.38mm x 11.38mm) |
| Seria: | CM |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Vertical, 8 PC Pin |
| Inne nazwy: | 240-2486 CM4545Z131B10 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 130 Ohms @ 100MHz |
| Wysokość (max): | 0.374" (9.50mm) |
| Rodzaj filtra: | Power Line |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 4 Line Common Mode Choke Through Hole 130 Ohms @ 100MHz 10A DCR 10 mOhm |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 10 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 10A |
| Zatwierdzenia: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CM4545Z131B-10
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash