CK45-B3FD331KYNNA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CK45-B3FD331KYNNA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CK45-B3FD331KYNNA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CK45-B3FD331KYNNA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CK45-B3FD331KYNNA
- Part Number:
- CK45-B3FD331KYNNA
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- CAP CER 330PF 3KV RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56318 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CK45-B3FD331KYNNA.pdf2.CK45-B3FD331KYNNA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - znamionowe: | 3000V (3kV) |
| Tolerancja: | 330pF |
| Grubość (maks): | B |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.295" (7.50mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.256" Dia (6.50mm) |
| Seria: | CK45 |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Radial, Disc |
| Inne nazwy: | CK45B3FD331KYNNA |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Numer części producenta: | CK45-B3FD331KYNNA |
| Lead Style: | - |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.413" (10.50mm) |
| cechy: | High Voltage |
| Współczynnik awaryjności: | Straight |
| Rozszerzony opis: | 330pF ±10% 3000V (3kV) Ceramic Capacitor B Radial, Disc |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±10% |
| Opis: | CAP CER 330PF 3KV RADIAL |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CK45-B3FD331KYNNA
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia