CJT10010RJJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CJT10010RJJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CJT10010RJJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CJT10010RJJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CJT10010RJJ
- Part Number:
- CJT10010RJJ
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- RES CHAS MNT 10 OHM 5% 100W
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41352 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CJT10010RJJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±440ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 6.496" L x 1.575" W (165.00mm x 40.00mm) |
| Seria: | CJT, CGS |
| Tryb panel: | 10 Ohms |
| Moc (W): | 100W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Rectangular Case |
| Inne nazwy: | 1-1879467-3 1-1879467-3-ND |
| temperatura robocza: | - |
| element mocowania: | Flanges |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Lead Style: | Wire Leads |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.787" (20.00mm) |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 10 Ohms ±5% 100W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Okładziny, Typ obudowy: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CJT10010RJJ
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash