CIGW201610GL2R2MLE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CIGW201610GL2R2MLE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CIGW201610GL2R2MLE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CIGW201610GL2R2MLE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CIGW201610GL2R2MLE
- Part Number:
- CIGW201610GL2R2MLE
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- FIXED IND 2.2UH 2.3A 100MOHM SMD
- Wielkość zbiorów:
- 31691 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CIGW201610GL2R2MLE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0806 (2016 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | CIGW |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Package / Case: | 0806 (2016 Metric) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Materiał - Rdzeń: | Metal Composite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 1MHz |
| Indukcyjność: | 2.2µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 100 mOhm Max 0806 (2016 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 100 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 2.3A |
| Obecny - Nasycenie: | 2.1A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CIGW201610GL2R2MLE
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny