CIGT201610EH1R0MNE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CIGT201610EH1R0MNE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CIGT201610EH1R0MNE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CIGT201610EH1R0MNE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CIGT201610EH1R0MNE
- Part Number:
- CIGT201610EH1R0MNE
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- FIXED IND
- Wielkość zbiorów:
- 20747 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CIGT201610EH1R0MNE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 0806 (2016 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.081" L x 0.063" W (2.05mm x 1.60mm) |
| Seria: | * |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 0806 (2016 Metric) |
| Inne nazwy: | 1276-6900-2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | CIGT201610EH1R0MNE |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Rozszerzony opis: | Inductor 0806 (2016 Metric) |
| Opis: | FIXED IND |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CIGT201610EH1R0MNE
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS